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28
2026
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04
NC：在掺铬氧化铪薄膜中观察到具有强磁电耦合的室温多铁性
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基于 HfO₂ 的铁电体因其与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的优异兼容性，已成为下一代信息器件中前景的候选材料。然而，在单相 HfO₂ 基材料中实现室温多铁性仍然是一个具有重要价值但充满挑战的目标。本文报道了在单相 Cr 掺杂 HfO₂ 薄膜中发现的室温多铁性。证明了铁电序与铁磁序之间存在直接关联：铁磁性更强的薄膜表现出增强的铁电性。关键的是，外加磁场可显著提升铁电极化和压电响应幅度。我们获得了约 100 V·cm⁻¹·Oe⁻¹ 的巨磁电耦合系数，超过了大多数先前报道的室温单相多铁材料。研究结果不仅确立了 Cr 掺杂 HfO₂ 薄膜作为探索新兴多铁现象的有力平台，也为新型硅基兼容磁电器件开辟了道路。
原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/UsfnHlqi5qgSWOUDGiBBkw
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